Samsung Galaxy S9 con SOC realizzato con processo produttivo a 7 nm

Il responsabile di Samsung LSI, ovvero Heo Kuk, ha lanciato una notizia davvero impressionante che ha lasciato tutti a bocca aperta.

Samsung Galaxy S9 sarà dotato di processore realizzato con processo produttivo a 7 nanometri. La notizia lascia davvero di stucco perché sul mercato non sono nemmeno arrivati i primi prodotti a 10nm che si pensa già allo step successivo.

Qualsiasi chip realizzato con processi produttivi “contenuti” presenta dei significativi vantaggi rispetto a chip molto più grandi. La prima nota positiva è che certamente a parità di potenza elaborativa il SoC più piccolo è capace di scaldare molto meno. La prima causa dei rallentamenti dei nostri device è infatti il calore. Quando il dispositivo scalda è perché il processore è sotto sforzo.

Di conseguenza per evitare di far salire troppo la temperatura il SoC diminuisce la frequenza elaborativa andando a diminuire di fatto la potenza dello stesso. Galaxy S9 però con questa nuova soluzione non dovrebbe soffrire in alcun modo di problemi di questo tipo. Per ora il limite teorico a cui si potrebbe arrivare continuando ad utilizzare il silicio sono i 5nm. Siamo quindi davvero molto vicini al limite del possibile.

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